Il settore dei semiconduttori di memoria sta vivendo una trasformazione senza precedenti, trainata dalla domanda esplosiva di intelligenza artificiale.
In questo contesto, il Roundhill Memory ETF (ticker DRAM), lanciato il 2 aprile 2026, ha già più che raddoppiato il proprio valore in meno di tre mesi e mezzo, raggiungendo quotazioni intorno ai 64-65 dollari a inizio luglio 2026, con un massimo di 81,34 dollari e un minimo di 26,14 dollari dalla nascita.
A fine giugno l’ETF mostrava un ritorno dal lancio del 161,51%, un exploit che riflette l’euforia del mercato per l’intera catena del valore della memoria DRAM e HBM. Con un patrimonio gestito che ha superato i 24 miliardi di dollari e un expense ratio dello 0,65%, il fondo rappresenta il primo strumento quotato dedicato esclusivamente al settore memory, offrendo agli investitori un’esposizione mirata e al tempo stesso internazionale che va ben oltre il semplice acquisto di Micron Technology.
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Cosa c’è dentro il Roundhill Memory ETF?
I tre grandi produttori di DRAM, Samsung Electronics, SK Hynix e Micron Technology, pesano complessivamente oltre il 75% del portafoglio del DRAM, con quote rispettive intorno al 27%, 24% e 24,7% a inizio luglio 2026. Questa concentrazione riflette la struttura oligopolistica del mercato: le tre aziende controllano la stragrande maggioranza della capacità produttiva globale di DRAM e, soprattutto, di High-Bandwidth Memory (HBM), la tipologia di memoria ad alta larghezza di banda essenziale per i chip AI di Nvidia e degli altri hyperscaler. Il fondo integra inoltre posizioni in Kioxia Holdings (circa 4,4%), player giapponese specializzato in NAND flash con joint-venture storiche nel settore storage, e in nomi come Western Digital (ex-Sandisk) e Seagate, ampliando l’esposizione anche al segmento NAND e SSD enterprise.
Il motore principale di questa performance straordinaria è la dinamica domanda-offerta del mercato DRAM, radicalmente alterata dall’avvento dell’AI. La High-Bandwidth Memory richiede fino a tre volte la capacità wafer rispetto alla DRAM convenzionale (DDR5 o simili), generando un consumo intensivo di risorse produttive proprio mentre la domanda di bit HBM cresce a ritmi vertiginosi. Secondo le principali previsioni di settore, la quota di HBM sul fatturato totale DRAM è passata dall’8% circa nel 2023 a oltre il 30% nel 2025, e le stime indicano che entro il 2027 il mercato complessivo della DRAM potrebbe avvicinarsi ai 400 miliardi di dollari, un livello mai visto nella storia del settore. Parallelamente, la domanda di HBM è prevista in forte espansione: +130% nel 2025 e ancora +70% nel 2026, con un consumo di wafer che nel 2026 arriverà al 23% del totale DRAM (dal 19% del 2025). Un singolo bit di HBM genera un ricavo per wafer da tre a cinque volte superiore rispetto alla DRAM commodity, spiegando perché i margini lordi delle tre big siano letteralmente “esplosi”.
Le aziende che trainano il settore delle HBM
SK Hynix si è affermata come leader indiscussa nell’HBM, detenendo tra il 50% e il 62% della quota di mercato a seconda delle metriche (bit o ricavi) nel 2025-2026. L’azienda coreana ha conquistato circa il 70% degli ordini HBM4 di Nvidia destinati alla piattaforma AI Vera Rubin, consolidando un vantaggio tecnologico e di esecuzione che le ha permesso di diventare una società da oltre 1.000-1.100 miliardi di dollari di capitalizzazione di mercato a luglio 2026. Il debutto degli ADR americani di SK Hynix il 10 luglio 2026 rappresenta un momento chiave: fino a quel momento, molti investitori occidentali potevano accedere al titolo solo attraverso l’ETF DRAM, che quindi funge da veicolo privilegiato per catturare questo leader dell’HBM prima dell’apertura diretta al mercato USA.
Anche Micron Technology ha beneficiato enormemente del ciclo. Nell’esercizio fiscale 2025 chiuso ad agosto 2025, il colosso americano ha registrato ricavi record di 37,4 miliardi di dollari (+49% rispetto all’anno precedente), con un margine lordo salito al 40% dal 22% del 2024. Il segmento data center, trainato da HBM e DIMM ad alta capacità, ha raggiunto il 56% dei ricavi totali con margini lordi del 52%. La DRAM ha contribuito per 28,6 miliardi di dollari (+62%), grazie a un mix di prezzi medi di vendita in forte rialzo e a un incremento dei volumi bit. Samsung Electronics, dal canto suo, ha visto il proprio business memory registrare trimestri record nel 2025, con ricavi del segmento che in alcuni quarti hanno superato i 37.000 miliardi di won coreani, spinti da HBM3E e DDR5 server ad alta densità.
Un elemento strutturale che distingue questo ciclo dai precedenti boom-and-bust della memoria è l’introduzione di contratti a lungo termine. Per la prima volta, le tre grandi produttrici stanno firmando accordi pluriennali (tre-cinque anni) per la fornitura di HBM, abbandonando la tradizionale prassi di contratti spot o annuali. Questa maggiore visibilità riduce la ciclicità storica del settore, crea un “pavimento” più alto per i ricavi e i margini e permette una pianificazione più razionale degli investimenti in capacità produttiva. Il risultato è un’industria che, pur rimanendo sensibile ai cicli macro, appare oggi più resiliente e con prospettive di crescita pluriennale legate all’espansione dell’infrastruttura AI.
Cosa lo distingue dagli altri strumenti sul mercato?
Il Roundhill Memory ETF non è un fondo passivo tradizionale: è uno strumento tematico attivo, gestito con ribilanciamenti trimestrali limitati, che utilizza total return swap e derivati principalmente per rispettare i test di diversificazione RIC e per ottimizzare l’esposizione fiscale. Questo approccio aggiunge un livello di complessità e volatilità moderata (non paragonabile a un ETF leveraged), ma permette al fondo di mantenere un’esposizione “pura” al memory senza i vincoli tipici dei fondi indicizzati. Esiste inoltre una versione 2x daily target, il Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF (RAM), destinata a chi cerca leva esplicita, ma con rischi significativamente più elevati.
Naturalmente non mancano i rischi. Il settore rimane intrinsecamente ciclico: un rallentamento degli investimenti in data center AI o un eccesso di capacità (sebbene le previsioni attuali indicano shortage fino al 2027 e oltre) potrebbe invertire la rotta dei prezzi e dei margini. L’uso di swap introduce un rischio di controparte e una volatilità aggiuntiva, mentre la forte concentrazione nelle tre big espone il fondo a eventi specifici delle singole società. Il DRAM non è quindi uno strumento da detenere “per sempre” come un ETF azionario globale, ma uno strumento tattico per cavalcare la fase espansiva di questo superciclo, che al momento mostra ancora “gambe” solide grazie alla combinazione di domanda AI strutturale, vincoli di offerta e maggiore prevedibilità dei ricavi.
